Dans l'atelier de fabrication de semi-conducteurs, les exigences du processus de fabrication des puces en termes de conditions environnementales et de précision des équipements sont extrêmes, et le moindre écart peut entraîner une baisse significative du rendement des puces. La plateforme de mouvement de précision du portique XYZT s'appuie sur des composants en granit pour collaborer avec d'autres composants de la plateforme et constituer une base solide pour atteindre une précision à l'échelle nanométrique.
Excellentes propriétés de blocage des vibrations
Dans l'atelier de fabrication de semi-conducteurs, le fonctionnement des équipements périphériques et la circulation du personnel peuvent provoquer des vibrations. La structure interne des composants en granit est dense et uniforme, avec des propriétés d'amortissement naturelles élevées, constituant ainsi une barrière antivibratoire efficace. Lorsque les vibrations externes sont transmises à la plateforme XYZT, le composant en granit atténue efficacement plus de 80 % de l'énergie vibratoire et réduit ainsi les interférences vibratoires sur la précision de mouvement de la plateforme. Parallèlement, la plateforme est équipée d'un système de guidage à flotteur pneumatique de haute précision, qui fonctionne en conjonction avec les composants en granit. Ce système utilise le film gazeux stable formé par un gaz haute pression pour assurer le mouvement de suspension sans contact des pièces mobiles de la plateforme et réduire les vibrations légères dues aux frottements mécaniques. Ensemble, ces deux éléments garantissent un positionnement précis de la plateforme à l'échelle nanométrique lors de processus clés tels que la lithographie et la gravure de puces, et évitent les variations de motifs de circuits dues aux vibrations.
Excellente stabilité thermique
Les fluctuations de température et d'humidité dans l'atelier ont une influence considérable sur la précision des équipements de fabrication de puces. Le coefficient de dilatation thermique du granit est très faible, généralement compris entre 5 et 7 × 10⁻⁶/℃, et sa taille reste quasiment inchangée quelles que soient les variations de température. Même si les différences de température entre le jour et la nuit dans l'atelier ou la production de chaleur des équipements entraînent des fluctuations de la température ambiante, les composants en granit restent stables et empêchent la déformation de la plateforme due aux dilatations et contractions thermiques. Parallèlement, le système intelligent de contrôle de la température de la plateforme surveille la température ambiante en temps réel, ajuste automatiquement la climatisation et le système de dissipation thermique, et maintient la température de l'atelier à 20 °C ± 1 °C. Grâce à la stabilité thermique du granit, la plateforme garantit un fonctionnement durable et une précision de mouvement de chaque axe conforme aux normes de précision nanométrique pour la fabrication de puces, garantissant ainsi une taille de motif lithographique précise et une profondeur de gravure uniforme.
Répondre aux besoins d'un environnement propre
L'atelier de fabrication de semi-conducteurs doit maintenir un niveau de propreté élevé afin d'éviter la contamination des puces par les particules de poussière. Le granit, matériau lui-même, ne produit pas de poussière et sa surface est lisse, ce qui la rend difficile à absorber. La plateforme adopte une structure entièrement fermée ou semi-fermée afin de réduire l'entrée de poussières externes. Le système de circulation d'air interne est couplé au système de climatisation de l'atelier afin de garantir un niveau de propreté de l'air interne conforme aux exigences de la fabrication de puces. Dans cet environnement propre, les composants en granit ne subissent aucune érosion par la poussière, et les composants clés de la plateforme, tels que les capteurs et moteurs de haute précision, fonctionnent de manière stable, garantissant une précision nanométrique continue et fiable pour la fabrication de puces et contribuant ainsi à l'évolution des processus de l'industrie des semi-conducteurs.
Date de publication : 14 avril 2025